Halbleiter-Reinstwassersystem

Reinstwassersysteme für die Elektronik- und Halbleiterindustrie umfassen vier Kernschritte: Vorbehandlung, Umkehrosmose, Ultrareinigung und Nachbehandlung. QILEE fertigt Reinstwassersysteme mit unterschiedlichen Durchflussraten und Wasserqualitäten gemäß den Kundenanforderungen.

• ≥18 mΩ spezifischer Widerstand

• <5 ppb toc

• <0,1 ppb Silica

Vorteile unseres Reinstwassersystems für die Halbleiterindustrie

Das System ist modular aufgebaut und nutzt eine fortschrittliche Wasseraufbereitungstechnologie mit zweistufiger Umkehrosmose (RO) + EDI + Mischbett. Es wurde unter strikter Einhaltung neuester technischer Standards entwickelt, um eine stabile Wasserqualität und einen langfristig zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Prozessablauf

1. Traditionelles Wasseraufbereitungsverfahren mit Ionenaustauscherharz zur Herstellung von Reinstwasser für die Elektronikindustrie.

Der grundlegende Prozessablauf:

● Rohwasser → Mehrschichtfilter → Aktivkohlefilter → Kartuschenfilter → Zwischenwassertank → Kationenbett → Anionenbett → Mischbett (Doppelbett) → Reinstwassertank → UPW-Pumpe → Nachfilter → Entnahmestelle

2. Kombiniertes Verfahren zur Herstellung von Reinstwasser für die Elektronikindustrie mittels Umkehrosmose-Wasseraufbereitungsanlage und Ionenaustauschanlage.

Der grundlegende Prozessablauf:

3. Herstellung von Reinstwasser durch Kombination von Umkehrosmose und Elektrodeionisation (EDI). Dies ist ein umweltfreundliches und kostengünstiges Reinstwasserproduktionsverfahren mit großem Entwicklungspotenzial.

Der grundlegende Prozessablauf:

Reale Systeme, reale Leistung

Werksfotos von QILEE EDI-Systemen, die in unserem Werk in Shanghai gebaut und vor dem Versand getestet wurden.

DI 2-Modul-System

SS316L-Skid • Zwei EDI-Module • Integriertes Bedienfeld • Widerstandsüberwachung

EDI 4-Modul-Großsystem

4 × EDI-Module • Stromverteilerschrank • Mehrkanal-Widerstandsanzeige • Automatischer Alarm

Anwendungsgebiete

Wasser zur Reinigung von Elektronik- und Halbleitermaterialien, Bauteilen, Aluminiumfolien und Werkstücken bei der Herstellung von Elektrolytkondensatoren;

Prozesswasser für die Herstellung von Bildröhren und Leuchtstoffbildschirmen, einschließlich Reinigung der Glaskolben, Fällung, Benetzung, Filmwäsche und Reinigung des Röhrendurchmessers;

Wasser zur Lösungsvorbereitung für die Reinigung bei der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen;

In der Elektronikchip-Produktion wird es hauptsächlich zur Reinigung von Siliziumwafern eingesetzt, zu einem geringen Teil auch zur Herstellung chemischer Lösungen und zum Schneiden.

Hochreines Wasser für die Reinigung von Siliziumwafern in der IC-Fertigung sowie Wasser für die Herstellung hochwertiger Bildröhren und Leuchtstoffe;

Prozesswasser für LCD-, LED- und PDP-Plasma-Bildschirme;

Wasser für das Schneiden von Photovoltaik-Wafern und die Herstellung optoelektronischer Produkte;

Produktionswasser für Speicherbatterien, Lithiumbatterien und Solarzellen;

Oberflächenbehandlungswasser für die Galvanisierung, Beschichtung, Automobilindustrie, Metallverarbeitung und andere hochpräzise Maschinen und Mikropräzisionsprodukte;

Laborwasser für Forschungsinstitute in den Bereichen Metall, Chemie, Biologie und anderen Gebieten;

Wasseraufbereitung und -verarbeitung für militärische Unternehmen und Forschungseinrichtungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Astronomie und Kernenergie.

Kernindustriespezifikationen

Halbleiter-ICs / DRAM / NAND

Entspricht SEMI F63, 18 MΩ·cm, für die Waferreinigung

Display-Panels LCD / OLED

Reinigung von Glassubstraten, geringer Silica-Bedarf

Solar PV TOPCon / HJT

Texturierung und Beschichtung von Siliziumwafern; beeinflusst die Minoritätsträgerlebensdauer

Pharmazeutische und Biotechnologie

USP-gereinigtes Wasser, Endotoxin <0,001 EU/ml

Kesselspeisewasser (BFW) für die Energiewirtschaft

Leitfähigkeit < 0,1 μS/cm, Ersatz durch Mischbett, 50 % Reduzierung der Betriebskosten

Labor- und Analytikprüfung

HPLC / ICP-MS / Zellkultur, ISO 3696 Grad 1

Leiterplatten und elektronische Bauteile

Spezifischer Widerstand > 10 MΩ·cm, Reinigung der Kupferplattierung

Grüner Wasserstoff-PEM-Elektrolyseur

Leitfähigkeit <1 μS/cm, MEA-Schutz

QILEE EDI im Vergleich zu herkömmlichen Alternativen

Kriterien	QILEE RO + EDI	Mischbett IEX	Konventionelle Umkehrosmose
Produktspezifischer Widerstand	✅ ≥18 MΩ·cm garantiert	⚠️ 10–18 MΩ·cm (verschlechtert sich)	❌ ~0,05–1 MΩ·cm
Chemische Regeneration	✅ Keine — Nur Gleichstrom	❌ Säure + Lauge, alle 2–3 Wochen	✅ Keine
Betriebskontinuität	✅ Rund um die Uhr ununterbrochen verfügbar	❌ 4–8 Stunden Ausfallzeit pro Zyklus	✅ Kontinuierlich
OPEX (Chemikalien)	✅ Nahezu null	❌ 20.000–80.000 USD/Jahr	✅ Niedrig (nur Antiscalant)
TOC-Entfernung	✅ <5 ppb (UV + EDI)	⚠️ Teilweise (abhängig vom Harz)	❌ Begrenzt
SEMI F63-Konformität	✅ Vollständige Einhaltung	⚠️ Nur im frisch regenerierten Zustand.	❌ Nicht zutreffend
Gefährliche Abfälle	✅ Keine	❌ Saures + ätzendes Abwasser	⚠️ Nur Konzentrat
Fußabdruck	✅ Kompakte Kufen / 40HQ	⚠️ Groß (Schiff + Chemikalientanks)	✅ Kompakt

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